[发明专利]半导体工艺方法和半导体工艺腔室在审
| 申请号： | 202210257714.5 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114649242A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘旭;于宸崎;赵可可;胡云龙 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在腔体中的工艺组件、承载盘、升降装组件、控制装置和设置在腔体底部的至少一个测距组件，控制装置用于控制测距组件对工艺组件进行测距；向腔体中传入晶圆，并控制测距组件对承载盘上方的晶圆进行测距；根据前后两次测距结果控制升降组件对晶圆进行升降，以使晶圆的顶面与工艺组件之间间隔预定距离；进行半导体工艺。本发明提供的半导体工艺方法在向腔体中传入晶圆前后控制测距组件对工艺组件进行两次测距，从而确定晶圆与工艺组件之间的距离，进而确定升降组件升降晶圆的高度，保证了晶圆的顶面与工艺组件之间间隔距离的精确性。本发明还提供一种半导体工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
