[发明专利]一种氮化硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210254276.7 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114664653A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈长鸿;孙一军;孙颖;王妹芳;孙家宝;刘艳华;刘志;谢石建 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01L21/56 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化硅刻蚀方法。利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。本发明首次实现C |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
