[发明专利]一种氮化硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210254276.7 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114664653A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈长鸿;孙一军;孙颖;王妹芳;孙家宝;刘艳华;刘志;谢石建 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01L21/56 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 刻蚀 方法 | ||
1.一种氮化硅刻蚀方法，其特征在于方法包括：
S1、钝化步骤：在刻蚀机中，利用RF电源生成钝化气等离子体在氮化硅膜表面附着钝化层，钝化层形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽中；
S2、清洗步骤：在刻蚀机中，调节RF电源生成清洁气等离子体，保留氮化硅膜表面的凹槽侧壁的钝化层，使清洁气等离子体清除氮化硅膜表面沿垂直方向的残留物；
S3、刻蚀步骤：通入刻蚀气体，并调节工艺参数进行氮化硅膜表面的刻蚀。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅刻蚀方法，其特征在于：
所述的氮化硅膜从上到下分别为光刻胶、氮化硅层、硅基底。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硅刻蚀方法，其特征在于：
在步骤S1前，还使用含ICP-RF双电源的刻蚀机对以光刻胶作掩膜的氮化硅膜进行预刻蚀，形成在氮化硅膜表面的凸起和凹槽。
4.根据权利要求1所述的一种氮化硅刻蚀方法，其特征在于：
所述的钝化气均是C4F6，所述的清洁气为O2和Ar的混合气体，所述的刻蚀气为C4F6、CHF3和SF6的混合气体。
5.根据权利要求1所述的一种氮化硅刻蚀方法，其特征在于：
所述S1的钝化步骤中，通入50sccm的C4F6，调节环境压力为40-80mtorr，ICP电源900-1100W，RF电源10-35W，维持氮化硅膜温度5-40℃，钝化时间10s。
6.根据权利要求1所述的一种氮化硅刻蚀方法，其特征在于：
所述S2的清洗步骤中，通入45sccm O2和10sccm Ar的混合气体，调节环境压力为3-10mtorr，ICP电源1000-1500W，RF电源65W，维持氮化硅膜温度5-40℃，维持时间25s。
7.根据权利要求1所述的一种氮化硅刻蚀方法，其特征在于：
所述S3的刻蚀步骤中，通入10sccm C4F6、15sccm CHF3和5sccmSF6的混合气体，调节环境压力为15-30mtorr，ICP电源1000-1500W，RF电源40-60W，维持氮化硅膜温度5-40℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
