[发明专利]一种新型半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210244099.4 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114628313A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;任宇辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型半导体器件的制备方法，包括：在第一衬底上依次形成第一膜层、第二膜层和键合膜层，以形成第一中间结构；其中，第二膜层的晶胞尺寸小于所述第一膜层的晶胞尺寸，所述键合膜层是由具有张应变特性的材料制备的膜层，以使所述第二膜层形成张应变；在第二衬底上依次形成电介质膜层和键合膜层，以形成第二中间结构；将所述第一中间结构和所述第二中间结构的键合膜层进行键合，以形成键合结构；将所述键合结构的第一衬底和第一膜层去除，以形成具有张应变的半导体器件衬底。本发明提供的新型半导体器件的制备方法，能够在栅极制备前形成具有应变的第二膜层，有利于提高沟道的迁移率，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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