[发明专利]一种新型半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210244099.4 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114628313A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;任宇辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种新型半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上依次形成第一膜层、第二膜层和键合膜层，以形成第一中间结构；其中，第二膜层的晶胞尺寸小于所述第一膜层的晶胞尺寸，所述键合膜层是由具有张应变特性的材料制备的膜层，以使所述第二膜层形成张应变；
在第二衬底上依次形成电介质膜层和键合膜层，以形成第二中间结构；
将所述第一中间结构和所述第二中间结构的键合膜层进行键合，以形成键合结构；
将所述键合结构的第一衬底和第一膜层去除，以形成具有张应变的半导体器件衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜层中的第一元素比例大于所述第一膜层中的第一元素比例；所述第一元素的原子半径大于所述第一膜层中的第二元素的原子半径。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜层包括硅膜层、锗硅膜层、锗膜层中的任意一种或两种以上的叠层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合膜层包括氮化硅、氧化硅和氧化铝中的任意一种形成的膜层或任意几种形成的叠层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜层的厚度为5nm～100nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜层为硅锗膜层，所述第二膜层为硅膜层；或者，
所述第一膜层为锗膜层，所述第二膜层为锗硅膜层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述半导体器件衬底的第二膜层上形成栅极；
在所述半导体器件衬底的第二膜层上形成源极和漏极，形成半导体器件。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述半导体器件衬底上形成源/漏区域包括：
在所述半导体器件衬底的第二膜层的源/漏区域进行离子注入，形成源极和漏极；或者，
将所述半导体器件衬底在650℃～750℃的温度下，以掺杂元素前驱体进行吹扫，吹扫后在第二膜层和栅极上形成二氧化硅保护层并退火，再去除二氧化硅。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述掺杂元素前驱体包括磷化氢或者乙硼烷。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合膜层的形成方法包括原子层沉积、等离子体增强化学气相沉积、低压力化学气相沉积或者热氧法。
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