[发明专利]一种碳化硅MCT器件及其制造方法与应用在审
| 申请号： | 202210230641.0 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114744032A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;和巍巍;汪之涵;张学强;喻双柏 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/745;H01L29/749;H01L21/28;H01L21/332 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种碳化硅MCT器件，其从下到上依次包括n型碳化硅衬底(1)、n型碳化硅缓冲层(2)、p型漂移层(3)、n型基区(4)；n型基区上部从左到右依次设有第一p型沟道区(5)、p型阳极区(7)和第二p型沟道区(5’)，第一p型沟道区(5)和第二p型沟道区(5’)分别包裹有第一n型阳极区(6)和第二n型阳极区(6’)；n型基区(4)顶部一侧设有沟槽，沟槽侧壁覆盖有沟槽栅氧化层(8)，沟槽内部填充第一栅电极(9)，形成沟槽栅结构；n型基区(4)顶部另一侧覆盖有平面栅氧化层(8’)，在平面栅氧化层(8’)上部填充第二栅电极(9)，形成平面栅结构。本发明的器件导通性能好，适合作为高压大功率电力电子领域的基础元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mct 器件 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
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