[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202210227839.3 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114334662B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 石卓;李玉科 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510555 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，形成方法包括：在半导体衬底上制作栅极结构；在所述栅极结构的侧壁表面形成侧墙，并且所述侧墙的厚度等于设计目标值与预设加厚值之和；以所述栅极结构和所述侧墙为掩膜，对所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源区和漏区。本申请通过加厚栅极结构的侧墙，使得半导体器件源漏之间的距离变大，从而可以降低沟道内的电场峰值，改善HCI效应，该方法操作简单，基本不增加成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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