[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202210227839.3 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114334662B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 石卓;李玉科 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510555 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上制作栅极结构；
在所述栅极结构的侧壁表面形成侧墙，所述侧墙包括覆盖所述栅极结构侧壁表面的第一子侧墙和覆盖所述第一子侧墙表面的第二子侧墙，所述第一子侧墙的厚度等于所述第一子侧墙的设计目标值与预设加厚值之和，所述预设加厚值与所述第一子侧墙的设计目标值的比值为1：1；
以所述栅极结构和所述侧墙为掩膜，对所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源区和漏区；
其中，所述在所述栅极结构的侧壁表面形成侧墙的方法进一步包括：
制作第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极结构的侧面和顶面以及所述栅极结构之外的所述半导体衬底的顶面，并且所述第一绝缘层的厚度等于待形成的第一子侧墙的设计目标值与所述预设加厚值之和；
在所述第一绝缘层上制作第二绝缘层；
对所述第二绝缘层进行刻蚀，保留所述栅极结构的侧面的所述第二绝缘层，以形成所述第二子侧墙；
对所述第一绝缘层进行刻蚀，保留被刻蚀后的所述第二绝缘层所覆盖的所述第一绝缘层，以形成所述第一子侧墙；
所述第一绝缘层为氧化物层，所述氧化物层为二氧化硅层；
所述第二绝缘层为氮化物层，或者所述第二绝缘层由氮化物层和氧化物层交替层叠而成；
所述栅极结构两侧的半导体衬底内未制作轻掺杂区。
2.一种半导体器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置有栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源区和漏区，所述栅极结构的侧面设置有侧墙，其特征在于，所述侧墙包括覆盖所述栅极结构侧壁表面的第一子侧墙和覆盖所述第一子侧墙表面的第二子侧墙，所述第一子侧墙的厚度等于所述第一子侧墙的设计目标值与预设加厚值之和，所述预设加厚值与所述第一子侧墙的设计目标值的比值为1：1；
其中，所述第一子侧墙为氧化物层，所述第二子侧墙为氮化物层，或者所述第二子侧墙由氮化物层和氧化物层交替层叠而成；所述侧墙的形成方法包括：
制作第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极结构的侧面和顶面以及所述栅极结构之外的所述半导体衬底的顶面，并且所述第一绝缘层的厚度等于待形成的第一子侧墙的设计目标值与所述预设加厚值之和；
在所述第一绝缘层上制作第二绝缘层；
对所述第二绝缘层进行刻蚀，保留所述栅极结构的侧面的所述第二绝缘层，以形成所述第二子侧墙；
对所述第一绝缘层进行刻蚀，保留被刻蚀后的所述第二绝缘层所覆盖的所述第一绝缘层，以形成所述第一子侧墙；
所述栅极结构的两侧未设置轻掺杂离子注入区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210227839.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
