[发明专利]降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法在审
| 申请号： | 202210224877.3 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114613697A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王世锋;杨超;张建平;王泽华 | 申请（专利权）人： | 青岛浩瀚全材半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/12;B08B3/08;F26B21/00 |
| 代理公司： | 天津盈佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12224 | 代理人： | 安娜 |
| 地址： | 266300 山东省青岛市胶州九龙街*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及降低半导体衬底晶片表面颗粒的清洗方法，包括如下步骤：对半导体衬底晶片进行超声波清洗，其中超声波清洗包括依次进行的超声波去蜡清洗、超声波去离子水清洗；超声波去蜡清洗时的超声波频率为25KHz；超声波去离子水清洗时依次采用频率为40KHz、80KHz、120KHz的顺便进行清洗；对超声波清洗后的半导体衬底晶片进行化学试剂清洗；对半导体衬底晶片进行兆声波清洗，兆声波清洗时的频率为0.9MHz～1.2MHz；本发明的方法能够有效降低砷化镓和磷化铟晶片表面的残留颗粒缺陷，颗粒度小于100个/片，提高了晶片表面质量和产品良率；方法成本低、实用性强，适用于半导体晶片的批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 衬底 晶片 表面 颗粒 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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