[发明专利]一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2

摘要

一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法，属于薄膜材料制造技术领域。步骤为：将自支撑金刚石厚膜基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗8‑12分钟后，用氮气吹干送入反应室；采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空至6.0×10‑4Pa，将所述聚酰亚胺基片加热至室温～200℃，向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气，二者流量比为(2～5)：(50～80)，控制气体总压强为1.0～3.0Pa；电子回旋共振频率为500‑800W，制备时间60min～240min,得到在自持金刚石基片的Ga2O3光电薄膜。本发明可以在较低的温度下制备出高性能的Ga2O3薄膜材料，制备工艺简单。