[发明专利]一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2 在审
| 申请号： | 202210222901.X | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114790541A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 张东;赵琰;宋世巍;李昱材;王健;王晗;唐坚;许琪 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/511;C23C16/27 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 吕敏 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自持 金刚石 衬底 低温 沉积 ga base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种自持金刚石厚膜衬底低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：其步骤如下：
(1)将自支撑金刚石厚膜基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗8-12分钟后，用氮气吹干送入反应室；
(2)采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空至6.0×10-4Pa，将所述基片加热至室温～200℃，向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气，所述三甲基镓、氧气二者流量比为(2～5)：(50～80)，控制气体总压强为,1.0～3.0Pa；电子回旋共振频率为500-800W，制备时间60min～240min,得到在自持金刚石基片的Ga2O3光电薄膜。
2.根据权利要求1所述自持金刚石厚膜衬底低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：所述自持金刚石厚膜基片是在热丝CVD系统在甲烷和氢气的反应源条件下制备的，其金刚石为自由站立基片。
3.根据权利要求1所述自持金刚石厚膜衬底低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：所述三甲基镓反应源的纯度都为99.99％，且由氩气携带进入反应室。
4.根据权利要求1所述自持金刚石厚膜衬底低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：所述氧气反应源的纯度为99.99％。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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