[发明专利]半导体器件、集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 202210210125.1 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN114664739A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 洪以则;周昂升;江宏礼;陈自强;郑兆钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体器件、集成电路及其制造方法。一种半导体器件包括栅极层、沟道材料层、第一介电层及多个源极/漏极端子。栅极层设置在衬底之上。沟道材料层设置在栅极层之上，其中沟道材料层的材料包括第一低维材料。第一介电层位于栅极层与沟道材料层之间。多个源极/漏极端子与沟道材料层接触，其中沟道材料层至少局部地设置在多个源极/漏极端子之间且位于栅极层之上，且栅极层设置在衬底与多个源极/漏极端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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