[发明专利]一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202210199467.8 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114583024A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;窦志珍;兰晓雯;杨琦;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片，外延结构包括衬底、外延生长于衬底上的N型覆盖层、以及外延生长于N型覆盖层上的多量子阱层，多量子阱层包括多对交替生长的量子阱层和量子垒层；其中，N型覆盖层的Si掺浓度大于3e17，并且量子阱层和量子垒层的对数随N型覆盖层的Si掺浓度的增加而增加。此外，本发明通过增加N型覆盖层的Si掺浓度，提高了N层载流子浓度，这样在同等条件下，载流子迁移机率增加，使得外延PN结复合效率上升。此外，随着N型覆盖层的掺杂浓度的增加，还让多量子阱层同步增加垒和阱的对数，提高了载流子溢流的极限，使得光强饱和值上升，从而使同制程下芯片可得到的亮度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 结构 及其 生长 方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
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