[发明专利]一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片

权利要求书

1.一种外延结构，其特征在于，包括衬底、外延生长于所述衬底上的N型覆盖层、以及外延生长于所述N型覆盖层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括多对交替生长的量子阱层和量子垒层；

其中，所述N型覆盖层的Si掺浓度大于3e17/cm³，并且所述量子阱层和所述量子垒层的对数随所述N型覆盖层的Si掺浓度的增加而增加。

2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述N型覆盖层的Si掺浓度每增加一倍所述量子阱层和所述量子垒层的对数增加一对。

3.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述N型覆盖层的Si掺浓度按2倍增加。

4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括外延生长于所述衬底上的缓冲层、及外延生长于所述缓冲层上的布拉格反射镜，所述N型覆盖层外延生长于所述布拉格反射镜上。

5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述缓冲层为GaAs缓冲层，所述布拉格反射镜包括多对交替生长的AlAs层和GaAs层，所述N型覆盖层为Si掺的AlInP层。

6.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括外延生长于所述多量子阱层上的P型限制层、外延生长于所述P型限制层上的P型覆盖层、以及外延生长于所述P型覆盖层上的电流扩展层；

所述多量子阱层与所述N型覆盖层之间设有N型限制层。

7.根据权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述P型限制层为AlGaInP层，所述P型覆盖层为AlInP层，所述电流扩展层为GaP层，所述N型限制层为AlGaInP层。

8.一种外延结构的外延生长方法，其特征在于，用于制备权利要求1-7任一项所述的外延结构，所述外延生长方法包括：

提供一外延生长用的衬底；

在所述衬底上依次外延生长N型覆盖层和多量子阱层。

9.根据权利要求8所述的外延结构的外延生长方法，其特征在于，在生长所述N型覆盖层之前，还包括：

先在所述衬底上依次外延生长缓冲层和布拉格反射镜，所述N型覆盖层生长于所述布拉格反射镜上；

在生长所述多量子阱层之前，还包括：

在所述N型覆盖层上外延生长N型限制层，所述多量子阱层外延生长于所述N型限制层上；

在生长所述多量子阱层之后，还包括：

在所述多量子阱层上依次外延生长P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的外延结构。