[发明专利]半导体器件的导电特征及其形成方法在审
| 申请号： | 202210186160.4 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114725017A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 赖柏宇;李锦思;吴思桦;梁顺鑫;朱家宏;林耕竹;王菘豊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开总体涉及半导体器件的导电特征及其形成方法。一种方法包括：在衬底之上形成器件区域；在器件区域之上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成开口；沿着开口的侧壁和底表面共形地沉积第一导电材料；在第一导电材料上沉积第二导电材料以填充开口，其中，第二导电材料不同于第一导电材料；以及执行第一热工艺以形成从第一导电材料的第一区域延伸到第二导电材料的第二区域的界面区域，其中，界面区域包括第一导电材料和第二导电材料的均匀混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导电 特征 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
