[发明专利]非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法在审
| 申请号： | 202210181050.9 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114974338A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 徐荣德;金真怜;朴世桓;朴一汉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C7/12;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;李竞飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 存储器 控制器 存储 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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