[发明专利]非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器块，其包括连接到第一字线的第一存储器区域；以及

控制逻辑，其包括：

片上谷搜索电路，其被配置为对所述存储器块执行片上谷搜索读出操作；以及

第一缓冲存储器，其被配置为存储至少一个变化表，所述至少一个变化表包括从所述片上谷搜索读出操作获得的连接到所述第一字线的存储器单元的阈值电压的变化信息，

其中，所述控制逻辑被配置为：

响应于由存储器控制器施加的第一读取命令对所述第一存储器区域执行第一读取操作，所述第一读取操作包括响应于所述第一读取命令的第一片上谷搜索读出操作和第一主读出操作，所述第一片上谷搜索读出操作以第一片上谷搜索读出电平被执行，并且所述第一主读出操作以反映所述变化信息的第一主读出电平被执行。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述控制逻辑还被配置为根据根据所述第一片上谷搜索读出操作的检测情况来确定反映所述至少一个变化表中包括的变化信息的权重。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中，反映当所述检测情况是边缘情况时提供的变化信息的第一权重高于反映当所述检测情况不是所述边缘情况时提供的变化信息的第二权重。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述控制逻辑还包括选择逻辑，所述选择逻辑被配置为基于所述第一片上谷搜索读出操作的结果来选择所述至少一个变化表中的至少一个。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中，所述选择逻辑还被配置为根据根据所述第一片上谷搜索读出操作的检测情况来选择所述至少一个变化表中的一个，以及

以其执行所述第一主读出操作的所述第一主读出电平是反映所选择的至少一个变化表中包括的变化信息的读取电平。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述控制逻辑还被配置为基于所述第一片上谷搜索读出操作的结果来选择性地更新所述至少一个变化表。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述存储器块还包括连接到第二字线的第二存储器区域，并且

所述控制逻辑还被配置为在完成对所述第一存储器区域的所述第一读取操作之后，将基于存储在所述存储器控制器中的历史读取电平表确定的第二读取命令输入到所述第二存储器区域。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，所述至少一个变化表还包括连接到所述第二字线的存储器单元的阈值电压的变化信息，并且

所述控制逻辑还被配置为以反映连接到所述第二字线的存储器单元的阈值电压的变化信息的读取电平执行第二读取操作。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，要以其执行所述第一片上谷搜索读出操作的所述第一片上谷搜索读出电平具有与所述第一主读出电平不同的值。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中,所述第一片上谷搜索读出电平为默认读取电平。

11.一种存储器控制器，包括：

处理器；

控制引脚，其被配置为向包括连接到第一字线的第一存储器区域的至少一个非易失性存储器装置提供控制信号；

错误校正电路，其被配置为基于所述控制信号来校正从所述至少一个非易失性存储器装置读取的数据；以及

缓冲存储器，其被配置为存储用于对所述至少一个非易失性存储器装置的读取操作的读取电平进行补偿的多个表，

其中，所述处理器被配置为输入第一读取命令，所述第一读取命令用于使用存储在所述至少一个非易失性存储器装置中的至少一个变化表来对所述第一存储器区域执行第一读取操作。