[发明专利]非易失性存储器装置、存储器控制器和存储装置的读方法

说明书

一种非易失性存储器装置包括：存储器块，其包括存储器区域；片上谷搜索(OVS)电路，其对存储器块执行OVS读出操作；以及缓冲存储器，其存储至少一个变化表，该至少一个变化表包括从OVS读出操作获得的存储器单元的阈值电压的变化信息。响应于由存储器控制器施加的读取命令，对存储器区域执行包括OVS读出操作和主读出操作的读取操作，以OVS读出电平执行OVS读出操作，并且以反映变化信息的主读出电平执行主读出操作。在非易失性存储器装置中，可以提高对字线阈值电压的劣化的校正精度，并且可以减少存储器控制器的负担。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年2月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请NO.10-2021-0026074的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文中以用于所有目的。

技术领域

本公开的实施例涉及非易失性存储器装置、存储器控制器和包括它们的存储装置的读取方法。

背景技术

通常，在编程操作中，存储装置使用错误校正电路生成错误校正码(ECC)，并且在读取操作中，存储装置通过参考错误校正码来校正数据错误。然而，存在存储装置的存储器单元的劣化程度严重到不可能通过错误校正电路进行校正的情况。在这种情况下，执行使用读出技术的读取重试操作，其不同于正常的读取操作。

发明内容

示例实施例提供了一种非易失性存储器装置和包括该非易失性存储器装置的存储装置，其中，使用包括变化表的非易失性存储器装置可以提高对劣化的补偿的精度，该变化表包括根据字线阈值电压的劣化的变化信息。

根据示例实施例的一方面，提供了一种非易失性存储器装置，包括：存储器块，其包括连接到第一字线的第一存储器区域；以及控制逻辑，其中，所述控制逻辑包括：片上谷搜索(OVS)电路，其被配置为对所述存储器块执行OVS读出操作；以及第一缓冲存储器，其被配置为存储至少一个变化表，所述至少一个变化表包括从所述OVS读出操作获得的连接到所述第一字线的存储器单元的阈值电压的变化信息，其中，所述控制逻辑被配置为：响应于由存储器控制器施加的第一读取命令对所述第一存储器区域执行第一读取操作，所述第一读取操作包括响应于所述第一读取命令的第一OVS读出操作和第一主读出操作，所述第一OVS读出操作以第一OVS读出电平被执行，并且所述第一主读出操作以反映所述变化信息的第一主读出电平被执行。

根据示例实施例的一方面，提供了一种存储器控制器，包括：处理器；控制引脚，其被配置为向包括连接到第一字线的第一存储器区域的至少一个非易失性存储器装置提供控制信号；错误校正电路，其被配置为基于所述控制信号来校正从所述至少一个非易失性存储器装置读取的数据；以及缓冲存储器，其被配置为存储用于对所述至少一个非易失性存储器装置的读取操作的读取电平进行补偿的多个表，其中，所述处理器被配置为输入第一读取命令，所述第一读取命令用于使用存储在所述至少一个非易失性存储器装置中的至少一个变化表来对所述第一存储器区域执行第一读取操作。

根据示例实施例的一方面，提供了一种存储装置的读取方法，包括：在至少一个非易失性存储器装置中，响应于从存储器控制器接收的第一读取命令，对所选存储器单元执行第一片上谷搜索(OVS)读出操作；提取所选存储器单元的阈值电压的变化信息和包括所选存储器单元的存储器块的劣化信息；基于所述变化信息和所述劣化信息以修改后的读取电平执行第一主读出操作；以及将所述第一OVS读出操作的结果和所述第一主读出操作的数据输出到所述存储器控制器，其中，所述第一OVS读出操作和所述第一主读出操作被定义为第一读取操作。

附图说明

从下面结合附图对示例实施例的详细描述中，将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和优点，在附图中：

图1是根据示例实施例的存储装置的示意性框图；

图2是示出根据示例实施例的非易失性存储器装置的示意性框图；

图3是根据示例实施例的包括在非易失性存储器装置中的存储器块的电路图；