[发明专利]氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法有效
| 申请号： | 202210169567.6 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114574960B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 唐灵 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物外延层的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底；S2、通入不含氧前驱体源，在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层；S3关闭不含氧前驱体源，通入含氧前驱体源，在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层；S4、关闭氮源，通入含氧前驱体源，进行热退火处理；S5、关闭含氧前驱体源，通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构；S6、通入不含氧前驱体源，在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层，得到具有坑洞结构的氮化物外延层。本发明通过坑洞结构促进氮化物外延层横向生长，改善位错密度走向，降低氮化物外延层位错密度，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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