[发明专利]一种垂直晶体管及制造方法在审
| 申请号： | 202210167999.3 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN115966607A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李泠;杨冠华;廖福锡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直晶体管及制造方法，涉及晶体管技术领域。用于解决现有的晶体管的尺寸无法进一步减小，集成电路无法容纳更多晶体管的技术问题。方案包括：源极、栅极、漏极和沟道，源极和漏极沿垂直方向间隔设置；源极和漏极之间设置有夹层结构；夹层结构包括栅极、与栅极下表面贴合连接的第一绝缘层和与栅极上表面贴合连接的第二绝缘层，栅极由石墨烯材料制成；沟道包括分别与漏极和源极相连接的第一端和第二端，以及与夹层结构的侧壁相对应的中间部；沟道的中间部与夹层结构的侧壁之间设置有栅介质层。本发明可以在竖直和水平方向上减小晶体管的尺寸，同时增强晶体管的布局能力，以便集成电路可以容纳更多的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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