[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 202210160928.0 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114999909A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 本田拓巳 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高磷酸水溶液的使用效率。基板处理方法包括调配工序、蚀刻处理工序以及浓度上升工序。在调配工序中，向磷酸水溶液中添加析出抑制剂来调配磷酸处理液。在蚀刻处理工序中，将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在处理槽中来对基板进行蚀刻处理。在浓度上升工序中，在被进行了蚀刻处理的基板的张数达到第一阈值的情况下、或者磷酸处理液中的硅浓度达到第二阈值的情况下，向处理槽内的磷酸处理液追加投入析出抑制剂来使磷酸处理液中的析出抑制剂的浓度上升。在进行浓度上升工序之后，在蚀刻处理工序中，将新的基板浸在贮存有使析出抑制剂的浓度上升后的磷酸处理液的处理槽中来对新的基板进行蚀刻处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
