[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高磷酸水溶液的使用效率。基板处理方法包括调配工序、蚀刻处理工序以及浓度上升工序。在调配工序中，向磷酸水溶液中添加析出抑制剂来调配磷酸处理液。在蚀刻处理工序中，将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在处理槽中来对基板进行蚀刻处理。在浓度上升工序中，在被进行了蚀刻处理的基板的张数达到第一阈值的情况下、或者磷酸处理液中的硅浓度达到第二阈值的情况下，向处理槽内的磷酸处理液追加投入析出抑制剂来使磷酸处理液中的析出抑制剂的浓度上升。在进行浓度上升工序之后，在蚀刻处理工序中，将新的基板浸在贮存有使析出抑制剂的浓度上升后的磷酸处理液的处理槽中来对新的基板进行蚀刻处理。

技术领域

公开的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

以往，已知一种通过将基板浸在含有用于抑制硅氧化物(SiO₂)的析出的析出抑制剂的磷酸水溶液中来蚀刻该基板的技术(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-67810号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够提高磷酸水溶液的使用效率的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的基板处理方法包括调配工序、蚀刻处理工序以及析出抑制剂的浓度上升工序。在调配工序中，通过向磷酸水溶液中添加用于抑制硅氧化物的析出的析出抑制剂来调配磷酸处理液。在蚀刻处理工序中，将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在贮存有磷酸处理液的处理槽中来对基板进行蚀刻处理。在析出抑制剂的浓度上升工序中，在通过磷酸处理液被进行了蚀刻处理的基板的张数达到第一阈值的情况下、或者磷酸处理液中的硅浓度达到第二阈值的情况下，向处理槽内的磷酸处理液追加投入析出抑制剂来使磷酸处理液中的析出抑制剂的浓度上升。另外，在进行使析出抑制剂的浓度上升的工序之后，在蚀刻处理工序中，将新的基板浸在贮存有使析出抑制剂的浓度上升后的磷酸处理液的处理槽中来对新的基板进行蚀刻处理。

发明的效果

根据本公开，能够提高磷酸水溶液的使用效率。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要框图。

图2是表示实施方式所涉及的蚀刻处理装置的结构的概要框图。

图3是利用析出抑制剂的硅氧化物的析出抑制机制的说明图。

图4是利用析出抑制剂的选择比调整机制的说明图。

图5是表示实施方式所涉及的基板处理系统执行的一系列基板处理的过程的流程图。

图6是表示第一阈值信息的一例的图。

图7是表示变形例所涉及的基板处理系统执行的一系列基板处理的过程的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理装置的实施方式。此外，以下所示的实施方式并不用于限定本公开。另外，需要留意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸关系、各要素的比率等有时与实际不同。并且，附图之间有时还包括尺寸关系、比率彼此不同的部分。

以往，已知一种将具有氧化硅膜(SiO₂)和氮化硅膜(SiN)交替地层叠而成的图案的基板浸在磷酸(H₃PO₄)水溶液中来选择性地蚀刻氧化硅膜和氮化硅膜中的氮化硅膜的技术。