[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括以下工序：

调配工序，通过向磷酸水溶液中添加用于抑制硅氧化物的析出的析出抑制剂来调配磷酸处理液；

蚀刻处理工序，将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在贮存有所述磷酸处理液的处理槽中来对所述基板进行蚀刻处理；以及

浓度上升工序，在通过所述磷酸处理液被进行了蚀刻处理的所述基板的张数达到第一阈值的情况下、或者所述磷酸处理液中的硅浓度达到第二阈值的情况下，向所述处理槽内的所述磷酸处理液追加投入所述析出抑制剂来使所述磷酸处理液中的所述析出抑制剂的浓度上升，

其中，在进行使所述析出抑制剂的浓度上升的所述浓度上升工序之后，在所述蚀刻处理工序中，将新的基板浸在贮存有使所述析出抑制剂的浓度上升后的所述磷酸处理液的所述处理槽中来对所述新的基板进行蚀刻处理。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括排出工序，该排出工序为在被进行了所述蚀刻处理的所述基板的张数达到比所述第一阈值高的第三阈值的情况下、或者所述磷酸处理液中的硅浓度达到比所述第二阈值高的第四阈值的情况下，从所述处理槽中排出全部的所述磷酸处理液。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在从进行所述调配工序起到进行所述排出工序为止的期间，将使所述析出抑制剂的浓度上升的所述浓度上升工序进行两次以上。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

使所述析出抑制剂的浓度上升的所述浓度上升工序包括以下工序：

追加投入工序，向所述处理槽内的所述磷酸处理液中追加投入所述析出抑制剂；以及

循环工序，使用设置于所述处理槽的循环路径来使所述析出抑制剂与所述磷酸处理液一同循环。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理槽具有：

内槽，其在上部具有开口部，用于贮存所述磷酸处理液；以及

外槽，其配置于所述内槽的外侧，用于接受从所述开口部流出的所述磷酸处理液，

其中，在所述内槽设置有向所述内槽的内部喷出气体的气体喷出部，

在追加投入所述析出抑制剂的所述追加投入工序中，向所述内槽供给所述析出抑制剂。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

在追加投入所述析出抑制剂的所述追加投入工序中，从比所述内槽中的所述磷酸处理液的液面高的位置向所述液面滴下所述析出抑制剂。

7.根据权利要求1、2、5、6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在从一次所述蚀刻处理结束起至下一次所述蚀刻处理开始为止的期间，进行使所述析出抑制剂的浓度上升的所述浓度上升工序。

8.一种基板处理装置，具备：

处理槽；

调配部，其通过向磷酸水溶液中添加用于抑制硅氧化物的析出的析出抑制剂来调配磷酸处理液；

投入部，其向所述处理槽投入所述析出抑制剂；以及

控制部，其执行以下工序：调配工序，控制所述调配部来调配所述磷酸处理液；蚀刻处理工序，将具有氧化硅膜和氮化硅膜的基板浸在贮存有所述磷酸处理液的所述处理槽中来对所述基板进行蚀刻处理；以及浓度上升工序，在通过所述磷酸处理液被进行了蚀刻处理的所述基板的张数达到第一阈值的情况下、或者所述磷酸处理液中的硅浓度达到第二阈值的情况下，控制所述析出抑制剂，向所述处理槽内的所述磷酸处理液中追加投入所述析出抑制剂来使所述磷酸处理液中的所述析出抑制剂的浓度上升，

其中，在进行使所述析出抑制剂的浓度上升的所述浓度上升工序之后，在所述蚀刻处理工序中，将新的基板浸在贮存有使所述析出抑制剂的浓度上升后的所述磷酸处理液的所述处理槽中来对所述新的基板进行蚀刻处理。