[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210149711.X | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN115223935A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 裵德汉;朴柱勳;严命允;李留利;李寅烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍状图案，在第一方向上纵向延伸；第二鳍状图案，在第二方向上与第一鳍状图案间隔开并且在第一方向上纵向延伸；第一栅电极，在第一鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第二栅电极，在第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第一栅极分离结构，将第一栅电极和第二栅电极分离并且与第一栅电极和第二栅电极处于同一竖直水平；第一连接源/漏接触件，在第一鳍状图案和第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸。第一连接源/漏接触件包括与第一鳍状图案和第二鳍状图案相交的第一下源/漏接触区域和从第一下源/漏接触区域突出的第一上源/漏接触区域，第一上源/漏接触区域在第一方向上不与第一栅极分离结构叠置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
