[发明专利]半导体元件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210146632.3 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN115295481A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 薛宇涵 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有一绝缘体上覆硅区的半导体元件结构及其制备方法。该绝缘体上覆硅区具有一半导体基底；一埋入氧化物层，设置在该半导体基底上；以及一硅层，设置在该埋入氧化物层上。该半导体元件结构亦具有一第一浅沟隔离结构，穿经该硅层与该埋入氧化物层，且延伸进入该半导体基底中。该第一浅沟隔离结构具有一第一衬垫，接触该半导体基底与该硅层；一第二衬垫，覆盖该第一衬垫并接触该埋入氧化物层；以及一第三衬垫，覆盖该第二衬垫。该第一衬垫、该第二衬垫以及该第三衬垫包含不同材料。该第一浅沟隔离结构亦具有一第一沟槽填充层，设置在该第三衬垫上且借由该第三衬垫而与该第二衬垫分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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