[发明专利]半导体集成电路、半导体存储装置以及存储系统在审
| 申请号： | 202210145470.1 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN115798533A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 中田将嗣 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22;G11C16/32;H03K5/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘静;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够在抑制面积、消耗电流的同时提高脉冲信号的计测分辨率的半导体集成电路、半导体存储装置以及存储系统。一个实施方式的半导体集成电路具有：延迟元件阵列电路(52)，其串联连接有多个具有延迟量(Tw)的延迟元件；延迟线群(530)，其具有多个输入所对应的延迟元件的输出的触发器(53β)；延迟元件群(540)，其从输入时钟信号生成具有比延迟量(Tw)小的第2延迟量的延迟差的多个输出时钟信号；以及延迟部(55)，其能够设定比第2延迟量小的第3延迟量，延迟元件群(540)和延迟部(55)串联连接在输入信号(CLK＿DET)的输出端子与延迟线群(530)的输入端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 存储 装置 以及 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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