[发明专利]一种碳化硅增强铝基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202210143664.8 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114480942B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吴传栋;鲁越辉;甘章华;沈帅;谢天赋;刘静 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C22C32/00 | 分类号： | C22C32/00;C22C21/00;C22C1/10 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 马丛 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于电子封装材料技术领域，具体涉及一种碳化硅增强铝基复合材料的制备方法。本发明提供的碳化硅增强铝基复合材料的制备方法包括如下步骤：将铝基合金至于SiC颗粒上方，加热至铝基合金融化后，在保温条件下进行超重力场熔渗，得到复合材料；所述超重力场熔渗的温度为800℃以下；将所述复合材料的缩孔区域切除，得到碳化硅增强铝基复合材料。本发明提供的制备方法不仅可以在较低温度下完成熔渗，而且可以快速熔渗，制备得到的复合材料的抗弯强度、导热性和热膨胀系数等各项性能能够很好地满足电子封装材料的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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