[发明专利]一种碳化硅增强铝基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202210143664.8 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114480942B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吴传栋;鲁越辉;甘章华;沈帅;谢天赋;刘静 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C22C32/00 | 分类号： | C22C32/00;C22C21/00;C22C1/10 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 马丛 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将铝基合金置于SiC颗粒上方，加热至铝基合金融化后，在保温条件下进行超重力场熔渗，得到复合材料；所述超重力场熔渗的温度为800℃以下；
(2)将所述复合材料的缩孔区域切除，得到碳化硅增强铝基复合材料；
所述超重力场熔渗的超重力场参数为800g～2000g；
所述铝基合金和SiC颗粒的质量比大于3:1；
所述铝基合金的化学成分包括：Al 80～96wt％、Si 4～14wt％和Mg 0～6wt％。
2.根据权利要求1所述的碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于，所述超重力场熔渗的时间为2～5min。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于，所述超重力场熔渗在无保护气氛的条件下进行。
4.根据权利要求1所述的碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为750～800℃。
5.根据权利要求1所述的碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于，所述SiC颗粒的粒径为25μm～75μm。
6.根据权利要求1所述的碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，其特征在于，所述SiC颗粒的纯度大于98％。
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