[发明专利]一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法在审
| 申请号： | 202210141528.5 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN114464714A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 林潇雄;曹玉飞;褚志强;黄文光;王帅 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 223865 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，包括：在蓝宝石衬底上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化物层，对氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。之后再通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片，通过电感耦合等离子体法在LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓。蓝宝石衬底通过等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，对LED芯片外延片采用激光切割的方式后，形成隔离槽。采用酸性溶液对隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。本申请技术方案通过在LED芯片周围形成一圈有利于出光的多层三角锥形、半圆形或球形，这样LED芯片有源区发出的光就会以更大的概率出射，进而可提升光取出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 led 芯片 取出 效率 制造 方法 | ||
【主权项】：
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