[发明专利]在半导体制造设施中检测环境参数的方法在审
| 申请号： | 202210136920.0 | 申请日： | 2022-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN114924030A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 陈丽君;杨宜芊;许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01N30/02;G01N30/62 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及在半导体制造设施中检测环境参数的方法。本发明实施例涉及一种半导体制造设施(FAB)。所述FAB包含数个处理工具。所述FAB还包含连接到所述处理工具的采样站。另外，所述FAB包含可拆卸地连接到所述采样站且包括计量模块的检测载具。当所述检测载具连接到所述采样站时，气体样本经由所述采样站从所述处理工具中的一者输送到所述检测载具的所述计量模块以由所述计量模块执行与所述气体样本相关的参数的测量。另外，所述FAB包含控制系统，其经配置以在与来自所述处理工具中的所述一者的所述气体样本相关的所述参数超出与所述处理工具中的所述一者相关联的可接受值的范围时发出警告。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 设施 检测 环境参数 方法 | ||
【主权项】：
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