[发明专利]在半导体制造设施中检测环境参数的方法

说明书

本发明实施例涉及在半导体制造设施中检测环境参数的方法。本发明实施例涉及一种半导体制造设施(FAB)。所述FAB包含数个处理工具。所述FAB还包含连接到所述处理工具的采样站。另外，所述FAB包含可拆卸地连接到所述采样站且包括计量模块的检测载具。当所述检测载具连接到所述采样站时，气体样本经由所述采样站从所述处理工具中的一者输送到所述检测载具的所述计量模块以由所述计量模块执行与所述气体样本相关的参数的测量。另外，所述FAB包含控制系统，其经配置以在与来自所述处理工具中的所述一者的所述气体样本相关的所述参数超出与所述处理工具中的所述一者相关联的可接受值的范围时发出警告。

技术领域

本发明实施例涉及一种在半导体制造设施中检测环境参数的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经历指数级增长。IC材料及设计的技术进步已产生IC世代，其中每一代具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连装置的数目)一般已增大，而几何大小(即，可使用制造工艺来产生的最小组件(或线))已减小。此按比例缩小过程一般通过提高制造效率且降低相关联成本来提供益处。此按比例缩小也已增加处理及制造IC的复杂性。

通常通过使用一系列晶片制造工具(即，“处理工具”)将一或多个晶片处理为一“批次”来制造IC。每一处理工具通常对给定批次中的晶片执行单一晶片制造工艺。例如，特定处理工具可执行层叠、图案化及掺杂操作或热处理。层叠操作通常将层所要材料添加到暴露晶片表面。图案化操作通常移除由层叠形成的一或多个层的选定部分。掺杂操作通常通过晶片表面将掺杂剂直接并入到硅中以产生p-n结。热处理通常加热晶片以实现特定结果(例如掺杂剂驱入或退火)。因此，晶片必须在无尘室中在处理工具之间移动。

然而，当暴露于敞开环境时，晶片易受例如湿气、氧气及各种空浮分子污染物(AMC)源(其包含蚀刻副产物溶剂、香水、存储材料、室残留气体等)的有害物质攻击。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体制造设施，其包括：第一群组的处理工具；第一采样站，其连接到所述第一群组的处理工具；检测载具，其可拆卸地连接到所述第一采样站且包括计量模块，其中当所述检测载具连接到所述第一采样站时，气体样本经由所述第一采样站从所述第一群组的处理工具中的一者输送到所述检测载具的所述计量模块以由所述计量模块执行与所述气体样本相关的参数的测量；及控制系统，其经配置以在与来自所述第一群组的处理工具中的所述一者的所述气体样本相关的所述参数超出与所述第一群组的处理工具中的所述一者相关联的可接受值的范围时发出警告。

本发明的实施例涉及一种用于测量半导体制造设施的条件的检测载具，所述检测载具包括：气体管线，其流体连接到用于处理半导体晶片的处理工具；计量模块，其流体连接到所述气体管线且经配置以测量从所述处理工具取得的气体样本的至少一个参数；及载具驱动模块，其经配置以使所述检测载具在所述半导体制造设施中移动以连接所述检测载具与另一处理工具。

本发明的实施例涉及一种监测半导体制造设施的方法，其包括：致动检测载具移动到第一采样站，其中所述第一采样站流体连接到第一群组的处理工具；将所述检测载具的气体管线连接到所述第一采样站；通过所述第一采样站从所述第一群组的处理工具中的一者收集第一气体样本；及当与来自所述第一群组的处理工具中的所述一者的所述第一气体样本相关的参数超出与所述第一群组的处理工具中的所述一者相关联的可接受值的范围时，发出警告。

附图说明

从结合附图来阅读的以下具体实施方式最好地理解本发明的实施例的方面。应注意，根据行业标准做法，各种结构未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1是根据本发明的一或多个实施例的半导体制造设施的示意图。

图2展示根据本发明的一或多个实施例的与采样管连接的处理工具的示意图。

图3是根据本发明的一或多个实施例的与采样管连接的采样站的示意图。