[发明专利]集成三维(3D)DRAM缓存在审
| 申请号： | 202210130510.5 | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN115132238A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 威尔弗雷德·戈麦斯;阿德里安·C·摩加;阿布舍克·夏尔马 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 姜飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及集成三维(3D)DRAM缓存。与计算逻辑集成在同一封装中的3D DRAM允许形成高密度缓存。在一个示例中，集成3D DRAM包括大型管芯上缓存(例如第4级(L4)缓存)、大型管芯上存储器侧缓存、或者L4缓存和存储器侧缓存两者。一个或多个标签缓存缓存最近从L4缓存、存储器侧缓存或者这两者访问的标签。计算逻辑中的缓存控制器接收来自处理器核心之一的对访问某个地址的请求并且将标签缓存中的标签与该地址进行比较。响应于标签缓存中的命中，缓存控制器从缓存中由标签缓存中的条目指示的位置访问数据，而不在缓存中执行标签查找。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 三维 dram 缓存 | ||
【主权项】：
暂无信息
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