[发明专利]一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202210119968.0 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114481307B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谢雪健;徐现刚;王守志;陈秀芳;彭燕;杨祥龙;胡小波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于新材料技术及晶体生长技术领域，涉及一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用。其制备方法为：在生长坩埚内设置SiC源材料和SiC籽晶，SiC籽晶位于SiC源材料的上方，再将生长坩埚置于真空条件下，通入载气，然后加热并依次进行籽晶表面成核处理和单晶生长处理，降温；其中，SiC源材料的C/Si为(0.5～0.8):1或(1.2～1.5):1；或者，籽晶表面成核处理的载气气氛中，氮气的体积不低于载气体积的50％；或者，SiC源材料内添加p型掺杂剂。本发明制备的SiC单晶衬底部件具有高电导率、高孔隙率，而且操作简单、易于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 衬底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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