[发明专利]堆叠状的III-V族半导体二极管在审
| 申请号： | 202210116254.4 | 申请日： | 2022-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN114914290A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | J·科瓦尔斯基;V·杜德克;R·博贾尼 | 申请（专利权）人： | 3-5电力电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/861 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
包括GaAs或者由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管具有高n型掺杂的阴极层、高p型掺杂的阳极层和布置在所述阴极层和所述阳极层之间的漂移区，其中，所述漂移区具有低n型掺杂的漂移层和低p型掺杂的漂移层，所述n型掺杂的漂移层布置在所述p型掺杂的漂移层和所述阴极层之间，两个漂移层分别具有至少5μm的层厚度并且沿着相应的层厚度具有最高8·10 |
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| 搜索关键词： | 堆叠 iii 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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