[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置在审
| 申请号： | 202210113682.1 | 申请日： | 2022-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN115125515A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 广濑义朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。可提高形成于衬底上的膜的面内均匀性。包括：在衬底处理装置中，将衬底设定于距成膜辅助气体供给部的气体供给口的距离为第1距离的第1位置，供给成膜辅助气体使成膜辅助气体吸附于衬底上的工序；使衬底移动至距原料气体供给部的气体供给口的距离为与第1距离不同的第2距离的第2位置，供给原料气体而在衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，衬底处理装置构成为具有处理衬底的处理室；设置于处理室内的衬底支承部；成膜辅助气体供给部，在将衬底支承于衬底支承部的状态下向处理室供给成膜辅助气体；和，原料气体供给部，在将衬底支承于衬底支承部的状态下向处理室供给原料气体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 半导体器件 制造 记录 介质 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
