[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置

说明书

涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。可提高形成于衬底上的膜的面内均匀性。包括：在衬底处理装置中，将衬底设定于距成膜辅助气体供给部的气体供给口的距离为第1距离的第1位置，供给成膜辅助气体使成膜辅助气体吸附于衬底上的工序；使衬底移动至距原料气体供给部的气体供给口的距离为与第1距离不同的第2距离的第2位置，供给原料气体而在衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，衬底处理装置构成为具有处理衬底的处理室；设置于处理室内的衬底支承部；成膜辅助气体供给部，在将衬底支承于衬底支承部的状态下向处理室供给成膜辅助气体；和，原料气体供给部，在将衬底支承于衬底支承部的状态下向处理室供给原料气体。

技术领域

本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。

背景技术

半导体器件的制造方法中，使用对衬底进行规定的工艺处理的衬底处理装置。作为工艺处理，例如有依次供给多种气体而进行的成膜处理(例如参见专利文献1及专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5384291号公报

专利文献2：日本特开2016-9742号公报

发明内容

发明要解决的课题

对衬底进行规定的工艺处理时，根据形成于衬底上的膜的种类、供给的气体的种类的不同，处理压力、供给量等的最佳工艺条件也不同。因此，在使用上述这样的衬底处理装置的情况下，由于供给气体的气体供给口与衬底的距离固定，因而存在形成于衬底上的膜的面内均匀性变差的情况。

本公开文本的目的在于提供能够提高形成于衬底上的膜的面内均匀性的技术。

用于解决课题的手段

根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其包括：

在下述衬底处理装置中，

将衬底设定于距上述成膜辅助气体供给部的气体供给口的距离为第1距离的第1位置，供给成膜辅助气体而使成膜辅助气体吸附于上述衬底上的工序；和

使上述衬底移动至距上述原料气体供给部的气体供给口的距离为与上述第1距离不同的第2距离的第2位置，供给原料气体而在上述衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，

所述衬底处理装置构成为具有：

处理衬底的处理室；

衬底支承部，其设置于上述处理室内；

成膜辅助气体供给部，其在将衬底支承于上述衬底支承部的状态下，向上述处理室供给成膜辅助气体；和，

原料气体供给部，其在将衬底支承于上述衬底支承部的状态下，向上述处理室供给原料气体。

发明的效果

根据本公开文本，能够提高形成于衬底上的膜的面内均匀性。

附图说明

[图1]为本公开文本的第1实施方式中优选使用的衬底处理装置的概略构成图，并且是以纵向剖视图的形式示出处理炉部分的图。

[图2]为本公开文本的第1实施方式中优选使用的衬底处理装置的概略构成图，是以纵向剖视图的形式示出处理炉部分的图，且是示出将衬底设定于第1位置的情况的图。

[图3]为本公开文本的第1实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是以框图的形式示出控制器的控制系统的图。

[图4]为示出本公开文本的第1实施方式中优选使用的衬底处理顺序的图。