[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置

权利要求书

1.衬底处理方法，其包括：

在下述衬底处理装置中，

将衬底设定于距成膜辅助气体供给部的气体供给口的距离为第1距离的第1位置，供给成膜辅助气体而使成膜辅助气体吸附于所述衬底上的工序；和，

使所述衬底移动至距原料气体供给部的气体供给口的距离为与所述第1距离不同的第2距离的第2位置，供给原料气体而在所述衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，

所述衬底处理装置构成为具有：

处理衬底的处理室；

衬底支承部，其设置于所述处理室内；

成膜辅助气体供给部，其在将衬底支承于所述衬底支承部的状态下，向所述处理室供给成膜辅助气体；和，

原料气体供给部，其在将衬底支承于所述衬底支承部的状态下，向所述处理室供给原料气体。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

所述原料气体包含第1原料气体和第2原料气体，

在所述衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序中，将包括下述工序的循环进行1次以上：

供给所述第1原料气体而使第1原料吸附于所述衬底上的工序；和，

供给所述第2原料气体而使吸附于所述衬底上的第1原料与第2原料反应的工序。

3.如权利要求2所述的方法，其中，将包括下述工序的循环进行1次以上：

使成膜辅助气体吸附于所述衬底上的工序；和，

在所述衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述成膜辅助气体对所述第1原料气体向所述衬底表面上的至少一部分的吸附进行辅助。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述成膜辅助气体阻碍所述第1原料气体向所述衬底表面上的至少一部分的吸附。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述成膜辅助气体为吸附辅助气体。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述成膜辅助气体为吸附阻碍气体。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述成膜辅助气体为容易热分解的气体。

9.衬底处理方法，其在下述衬底处理装置中将包括下述工序的循环进行1次以上：

将衬底设定于距成膜辅助气体供给部的气体供给口的距离为第1距离的第1位置，供给成膜辅助气体而使成膜辅助气体吸附于所述衬底上的工序；和，

使所述衬底移动至距所述原料气体供给部的气体供给口的距离为与所述第1距离不同的第2距离的第2位置，供给原料气体而在所述衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，

所述衬底处理装置构成为具有：

处理衬底的处理室；

衬底支承部，其设置于所述处理室内；

成膜辅助气体供给部，其在将衬底支承于所述衬底支承部的状态下，向所述处理室供给成膜辅助气体；和，

原料气体供给部，其在将衬底支承于所述衬底支承部的状态下，向所述处理室供给原料气体。

10.如权利要求9所述的方法，

所述原料气体包含第1原料气体和第2原料气体，

在所述衬底上形成所期望膜厚的薄膜的工序中，将包括下述工序的循环进行1次以上：

供给所述第1原料气体而使第1原料吸附于所述衬底上的工序；和，

供给所述第2原料气体而使吸附于所述衬底上的第1原料与第2原料反应的工序。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述成膜辅助气体对所述第1原料气体向所述衬底表面上的至少一部分的吸附进行辅助。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述成膜辅助气体阻碍所述第1原料气体向所述衬底表面上的至少一部分的吸附。

13.半导体器件的制造方法，其包括权利要求1的方法。