[发明专利]具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210111178.8 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114566548A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 | 代理人： | 陈惠珠;苏维勤 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、第一沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述第一沟槽区设置在所述基体区侧方，并分别与所述漂移区、所述基体区和所述源区相接；所述控制栅和所述屏蔽栅由上至下依次设置在所述第一沟槽区内，且经所述第一绝缘层分隔；所述控制栅通过所述第一绝缘层分别与所述基体区和所述源区相接，所述屏蔽栅通过所述绝缘层与所述漂移区相接；所述N型源区设置于所述基体区的上方，所述P型源区设置于所述基体区与所述第一沟槽区相对的侧方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纵向 型源区 沟槽 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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