[发明专利]一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法在审
| 申请号： | 202210102518.0 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114438596A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 孔玮;马亚庆;杨军 | 申请（专利权）人： | 西湖大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;C30B33/00;C23C16/34;C23C16/01 |
| 代理公司： | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人： | 李林 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法，包括以下步骤：步骤1：取c面蓝宝石单晶衬底；步骤2：在蓝宝石衬底上生长出氮化硼二维材料；步骤3：生长了氮化硼二维材料的蓝宝石衬底表面上，使用卤化物气相外延生长出氮化镓厚膜；步骤4：降低至室温，获得高质量的氮化镓厚膜。本发明可提高氮化镓外延的晶体质量，减少因晶格失配产生的位错，有助于机械剥离氮化镓外延。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 易于 剥离 晶圆级 氮化 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西湖大学，未经西湖大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210102518.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
