[发明专利]半导体发光器件及其压膜方法在审
申请号: | 202210092574.0 | 申请日: | 2022-01-26 |
公开(公告)号: | CN114628567A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 李刚;钟伟荣;刘运筹 | 申请(专利权)人: | 深圳大道半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 王少虹 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体发光器件及其压膜方法,半导体发光器件的压膜方法包括以下步骤:S1、将半导体发光器件和弹性围堰定位在下治具上,弹性围堰设置在半导体发光器件的外围;S2、将胶液设置在半导体发光器件上并位于弹性围堰的内圈;S3、上治具向下移动直至抵压胶液和弹性围堰的顶部,使得胶液充满上治具和弹性围堰之间界定的空间,均匀覆盖在半导体发光器件上;S4、加热固化处理,使胶液形成均匀的胶膜层;S5、上治具向上移动,与胶膜层脱离;S6、将带有胶膜层的半导体发光器件及弹性围堰一体从下治具取下,切除弹性围堰。本发明的半导体发光器件的压膜方法,获得均匀性好、厚度均匀的胶膜层,提高产品质量;利于多件同时压膜,提高效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 及其 方法 | ||
【主权项】:
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