[发明专利]一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统及工艺在审
| 申请号： | 202210090934.3 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114590769A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;孙斯佳 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，MEME晶圆上设置有谐振器，MEME晶圆和盖片之间设置有密封金属条，盖片内设置有真空腔，盖片上设置有吸气剂层和过渡金属。硅‑硅键合，键合前通入的还原气体可以还原金属，使其在接下来的退火工艺中更好的与腔体内的气体反应，增强吸气剂的作用，提高真空度。工艺为，750℃‑1100℃高温退火既改善过渡金属的扩散，使其快速到达腔内墙与气体反应，提高真空度，同时也可以使硅烷和氢气通过化学反应消除增加密封性。本发明的优点：利用过渡金属的高速扩散性从真空腔外侧扩散到真空腔内侧墙壁与氧气，氢气，氮气，碳水化合物，水汽等反应，吸附键合后真空腔的残余气体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶圆级 mems 真空 封装 金属 扩散 吸附 系统 工艺 | ||
【主权项】：
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