[发明专利]一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统及工艺

权利要求书

1.一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，其特征在于：所述的用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，包括过渡金属(1)，盖片(2)，真空腔(3)，密封金属条(4)，谐振器(5)，MEME晶圆(6)，吸气剂层(7)；其中：MEME晶圆(6)上设置有谐振器(5)，MEME晶圆(6)和盖片(2)之间设置有密封金属条(4)，盖片(2)内设置有真空腔(3)，盖片(2)上设置有吸气剂层(7)和过渡金属(1)；

硅-硅键合，键合前通入的还原气体可以还原金属，使其在接下来的退火工艺中更好的与腔体内的气体反应，增强吸气剂的作用，提高真空度。

2.根据权利要求1所述的用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，其特征在于：MEME晶圆(6)上的真空腔(3)内设置有谐振器(5)，真空腔(3)上方设置有多晶硅密封层(9)，多晶硅密封层(9)上设置有CVD密封塞(8)；通过CVD密封塞(8)密封多晶硅，通孔刻蚀，VHF氧化层工艺，释放谐振器(5)，最后淀积氧化物或氮化物形成密封结构。

3.一种如权利要求1所述的用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统的工艺，其特征在于：多晶硅密封层(9)上设置的CVD密封塞(8)上淀积过渡金属(1)，多晶硅密封层(9)上设置有介电质层(10)；

750℃-1100℃高温退火既改善过渡金属的扩散，使其快速到达腔内墙与气体反应，提高真空度，同时也可以使硅烷和氢气通过化学反应消除增加密封性。