[发明专利]一种基于氮化镓的CMOS场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202210089420.6 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114628523B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;陈增发;黄双武;宋利军;高麟飞;林峰;吴钧烨;黎晓华;贺威 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/207 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 廖厚琪 |
| 地址： | 518060 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于氮化镓的CMOS场效应晶体管及制备方法，CMOS场效应晶体管包括：衬底、绝缘导热层和金属栅极，绝缘导热层和金属栅极设置于抛光面上，且绝缘导热层位于金属栅极的两侧；在金属栅极内生长有形成第一沟道的nmos纳米片和生长有形成第二沟道的pmos纳米片，nmos纳米片和pmos纳米片均为氮化镓材料，nmos纳米片和pmos纳米片的两侧均延伸至绝缘导热层内；且在nmos纳米片与金属栅极之间，以及pmos纳米片与金属栅极之间生长有栅氧化层。本发明提供的基于氮化镓的CMOS场效应晶体管，解决沟道存在高热量的问题，增强栅极对沟道的控制能力，漏电流更小，静态功耗更低，散热性更强，使得器件能保持长时间的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 cmos 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210089420.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
