[发明专利]一种LED芯片制作方法有效
| 申请号： | 202210089138.8 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114420813B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 徐平;许孔祥;周孝维;杨云峰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;刘伊旸 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种LED芯片制作方法，依次包括：生长AlN薄膜、制作圆形状的Mg金属薄膜层、生长MgN层、生长掺杂Si的n型GaN层、有源层MQW、P型AlGaN层和P型GaN层；退火处理。本发明通过引入圆形状的Mg金属薄膜层和MgN层来提升载流子的辐射复合效率，从而使LED的发光效率得到提升，并降低工作电压，提高抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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