[发明专利]面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202210089057.8 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114122040B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;马特;何兵;刘刚 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军火箭军工程大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01J5/48;G01J5/24 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;黄健 |
| 地址： | 710025 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请提供一种面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法，半导体衬底和第一像素单元，半导体衬底上设有第一可见光吸收区域，第一可见光吸收区域位于第一像素单元的下方，第一可见光吸收区域包括第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层，第一N型区位于P型区的上方，且P型区和第一N型区相互接触，在P型区和第一N型区相接触的地方形成耗尽区，第二N型区与P型区并排布置，在P型区和第二N型区的下方设有栅介质层，栅介质层下方设有栅电极层，第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层形成传输管，通过如此设置，可以降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 医疗 应用 半导体 混合 成像 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
