[发明专利]一种高压无液封GaAs多晶合成方法在审
| 申请号： | 202210088077.3 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114108098A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 胡成斌 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B28/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101149 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及GaAs多晶合成的领域，具体公开了一种高压无液封GaAs多晶合成方法。合成方法包括：S1、填料：取Ga水浴加热并收集熔融Ga液体，取As颗粒和熔融Ga液体分别置于反应坩埚的两端，上述Ga：As的摩尔比为1:1.08～1.1；S2、装炉：将反应坩埚置于反应炉中，抽真空后通氩气至反应坩埚中气压为3～5MPa；S3、保温合成：对反应炉通电升温后，保温处理并控制压强，保温反应直至As颗粒完全升华后，冷却处理，即可收集得GaAs多晶材料。本申请提高了As颗粒的填充质量，使其在实际合成反应过程中，能增加其与Ga的接触面积，可有效改善合成的GaAs多晶材料的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 无液封 gaas 多晶 合成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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