[发明专利]保护膜形成用膜在审
| 申请号： | 202210081725.2 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN115132671A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 山下茂之;山本大辅;中石康喜 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于良好地探测处于收纳于载带中的状态的半导体芯片。所述保护膜形成用膜相对于在以CIE1976L |
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| 搜索关键词： | 保护膜 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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