[发明专利]一种在硅表面定域电沉积的加工装置及方法在审
| 申请号： | 202210079730.X | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114481248A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 唐阳帆;徐坤;朱浩;冷志豪;沈文嵘;张朝阳;刘洋;鲁金忠 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/02;C25D5/22;C25D21/04;C25D21/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片表面定域电沉积的加工装置及方法，属于复合特种加工技术领域。通过计算机控制刀具在硅片的表面加工去除氧化硅，同时控制激光束辐照硅片去除氧化硅区域，实现硅片表面定域电沉积金属。本发明中利用激光辐照硅片待去除氧化层区域，软化氧化层材料，提高刀具去除氧化层效率和精度；此外，激光具有高的功率密度，激光辐照的热效应使辐照区域温度升高，有效提高硅片局部电导率，加快沉积液离子扩散和界面电子转移速度，同时力效应产生搅拌作用加速沉积过程气体排出，减少沉积层中裂纹和气孔等缺陷，有效提高硅片表面定域电沉积的效率和质量；在硅片下表面和侧壁采用绝缘材料包裹对阴极电场起限制作用，增强电沉积定域性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 定域电 沉积 加工 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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