[发明专利]半导体工艺腔室及半导体工艺方法在审
| 申请号： | 202210073203.8 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114446758A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杨京;王炳元;韦刚;卫晶;王景远 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺方法，半导体工艺腔室的多个电源一一对应的与多个匹配部件电连接，负载与至少一个匹配部件电连接，电源用于通过对应的匹配部件向负载输出电能；至少一个匹配部件和负载之间设置有对应的检测部件，检测部件分别与对应的匹配部件和负载电连接，且与控制单元电连接，检测部件用于对自对应的负载耦合向对应的匹配部件的电能进行检测，并将检测结果传输向控制单元；控制单元和与检测部件对应的匹配部件电连接，用于接收并根据检测结果控制与检测部件对应的匹配部件中的可变电容的位置。本发明提供的半导体工艺腔室及半导体工艺方法能够提高射频稳定性，从而提高等离子体稳定性，提高半导体工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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