[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210071104.6 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN116207133A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 罗杰 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 胡艳华;李丹 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括至少一个薄膜晶体管单元，一个薄膜晶体管单元至少包括设置在基底上的第一源漏电极层、设置在所述第一源漏电极层远离所述基底一侧的栅电极层、设置在所述栅电极层远离所述基底一侧的第二源漏电极层以及设置在所述第二源漏电极层远离所述基底一侧的有源层，一个薄膜晶体管单元还包括过孔，所述过孔穿过所述第二源漏电极层、所述栅电极层以及所述第一源漏电极层，所述有源层包括互相连接的第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述第二源漏电极层远离所述基底一侧，至少部分所述第二部分设置在所述过孔中，且至少部分所述第二部分在所述过孔中覆盖所述栅电极层的侧表面，至少部分所述第二部分在所述过孔中与所述栅电极层侧表面相对的部分形成沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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